PI光刻显影是半导体制造和微电子技术中常用的一种技术，它可以用于制造各种类型的电子器件，包括集成电路、传感器和光电器件等。通过精确控制光刻和显影过程，可以实现高精度的图案转移，制造出具有优异性能的电子器件。

在PI光刻显影过程中，首先将光刻胶涂覆在PI基底上，然后通过曝光，使用掩膜将图案转移到光刻胶上。曝光后，光刻胶会发生化学变化的区域，这些区域在随后的显影过程中会被溶解，从而在PI基底上形成图案。这个过程可以用来制造具有特定图案的PI基底，用于各种电子器件的制造。

宽测量是在光刻过程中或之后，对形成在PI基底上的电路图案线宽进行测量的过程。线宽是电路图案中最小特征尺寸的度量，通常以微米（µm）或纳米（nm）为单位。线宽的精确测量对于评估光刻工艺的质量以及确保图案转移的准确性至关重要。

图示为KS系列3D数码显微镜拍摄的PI光刻显影形貌，进行线宽尺寸测量。